cccs器件是什么器件，cccs是什么元器件工作原理是什么
来源：整理 编辑：汇众招标 2023-01-14 10:09:47
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1，cccs是什么元器件工作原理是什么
我只知道三极管是CCCS器件，实质是用微小电流的变化去控制较大电流的变化，不知道是不是CCCS器件的普遍特征
2，碳化硅大功率器件是什么东西呢
SIC大功率器件在半导体方面主要有SIC二极管，SIC MOSFET 和带SIC二极管的IGBT。
SIC材料由于有是高带隙材料，所以他的耐压高，而导通阻抗很低。所以是高功率，高频率，高电压，高温器件首选。
其中SIC MOSFET的主要特点是耐压高，单体很容易能做到1700V，而不需要用IGBT，由于是多子导通器件没有电流托尾现象，在开关的过程中几乎没有开关损耗，所以频率可以做得很高。目前主要制约应用的地方就是生产工艺不成熟，价格高。
目前用得最多就是SIC二极管和MOSFET，主要的生产晶元的厂家有CREE和罗姆。
3，碳化硅大功率器件是什么东西呢
我是从事这个行业的，采用碳化硅技术的电力电子器件 优点是，通电工作时的自身功率损耗小。碳化硅的用途十分广泛，工业、军事、高科技方面用得很多，但你说到大功率器件，我估计就是硅碳棒，用于高温炉大功率通电加热，使用温度达1450度。SIC大功率器件在半导体方面主要有SIC二极管，SIC MOSFET 和带SIC二极管的IGBT。SIC材料由于有是高带隙材料，所以他的耐压高，而导通阻抗很低。所以是高功率，高频率，高电压，高温器件首选。其中SIC MOSFET的主要特点是耐压高，单体很容易能做到1700V，而不需要用IGBT，由于是多子导通器件没有电流托尾现象，在开关的过程中几乎没有开关损耗，所以频率可以做得很高。目前主要制约应用的地方就是生产工艺不成熟，价格高。目前用得最多就是SIC二极管和MOSFET，主要的生产晶元的厂家有CREE和罗姆。
4，CMOS和NMOS器件到底有什么区别双级型器件和MOS 数码相机
用于数码相机传感器的是CCD和CMOS。
CCD（Charge Coupled Device 光电荷耦合器件）是一种半导体装置，能够把光学影像转化为数字信号。 CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。一块CCD上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。CCD的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。CCD在摄像机、数码相机和扫描仪中应用广泛。
CMOS即互补性金属氧化物半导体，其在微处理器、闪存和ASIC（特定用途集成电路）的半导体技术上占有绝对重要的地位。CMOS和CCD一样都可用来感受光线变化的半导体。CMOS主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，通过CMOS上带负电和带正电的晶体管来实现基本的功能的。这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。
CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电。不像由二极管组成的CCD，CMOS 电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，这有助于改善人们心目中数码相机是"电老虎"的不良印象。CMOS主要问题是在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而过热。暗电流抑制得好就问题不大，如果抑制得不好就十分容易出现杂点。
此外，在计算机领域，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能，而对CMOS中各项参数的设定要通过专门的程序。CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低MOS器件分为NMOS和PMOS,而CMOS是指互补的MOS管组成的电路，也就是PMOS,NMOS组成,NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动
PMOS是指 n型 p沟道，靠空穴的流动
CMOS相比Bipolar，优点就是其功耗低，集成度高等等。当然Bipolar的驱动能力比CMOS强
目前BiCMOS工艺就是结合了CMOS和Bipolar的优点
5，CMOS元器件的定义
CMOS是单词的首字母缩写，代表互补 的金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，它指的是 一种特殊类型的电子集成电路(IC)。集成 电路是一块微小的硅片，它包含有几百万个 电子元件。术语IC隐含的含义是将多个单独 的集成电路集成到一个电路中，产生一个十 分紧凑的器件。在通常的术语中，集成电路 通常称为芯片，而为计算机应用设计的IC称 为计算机芯片。 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,本意是指互补金属氧化物 半导体--一种大规模应用于集成电路芯片制 造的原料)是微机主板上的一块可读写的 ROM芯片,用来保存当前系统的硬件配置e69da5e6ba90e799bee5baa631333330343866和 用户对某些参数的设定.CMOS可由主板的 电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢 失.CMOS ROM本身只是一块存储器,只有数 据保存功能,而对CMOS中各项参数的设定要 通过专门的程序. 早期的CMOS设置程序驻留在软盘上的 (如IBM的PC/AT机型),使用很不方便.现在多 数厂家将CMOS设置程序做到了 BIOS芯片 中,在开机时通过按下某个特定键就可进入 CMOS设置程序而非常方便地对系统进行设 置,因此这种CMOS设置又通常被叫做BIOS 设置. CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成,它 的特点是低功耗.由于CMOS中一对MOS组 成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么 NMOS导通、要么都截至,比线性的三极管 (BJT)效率要高得多,因此功耗很低,因此,计算 机里一个纽扣电池就可以给它长时间地提供 电力. 在计算机领域,CMOS常指保存计算机基本 启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯 片.有时人们会把CMOS和BIOS混称,其实 CMOS是CPU中的一块只读的ROM芯片,是 用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参 数的设定.CMOS可由主板的电池供电,即使 系统掉电,信息也不会丢失.ttl电源电压只能是5v，电平大致如下：输出高电平电压≥2.7v，典型3.6v，输出低电平电压≤0.5v；输入高电平电压要求＞2v，输入低电平电压要求＜0.8v。cmos电源电压适应性强，一般在3~15v之间，电平大致如下：输出高电平电压=vdd，输出低电平电压=0v。输入高电平电压要求＞0.7vdd，输入低电平电压要求＜0.3vdd。以5v电源为例，voh=5v，vol=0v，vih>3.5v，vil<1.5v。可以看出cmos器件的电压传输特性优于ttl，并且coms器件功耗很低，但是传输速度也低于ttl器件。随着cmos制造工艺的进步，性能日趋完善，已经占领绝大多数的市场份额，只是由于著名的74系列ttl器件影响很大，学校教学还是以此为范本，就像单片机的51系列一样。除非是无法替代的原因，抛弃ttl 吧，拥抱coms！
6，CCD和COMS这两种感光器件有什么区别
CCD 或 CMOS，基本上两者都是利用矽感光二极体（photodiode）进行光与电的转换。这种转换的原理与各位手上具备“太阳电能”电子计算机的“太阳能电池”效应相近，光线越强、电力越强；反之，光线越弱、电力也越弱的道理，将光影像转换为电子数字信号。 比较 CCD 和 CMOS 的结构，ADC的位置和数量是最大的不同。简单的说，按我们在上一讲“CCD 感光元件的工作原理（上）”中所提之内容。CCD每曝光一次，在快门关闭后进行像素转移处理，将每一行中每一个像素（pixel）的电荷信号依序传入“缓冲器”中，由底端的线路引导输出至 CCD 旁的放大器进行放大，再串联 ADC 输出；相对地，CMOS 的设计中每个像素旁就直接连着 ADC（放大兼类比数字信号转换器），讯号直接放大并转换成数字信号。 两者优缺点的比较 CCD CMOS 设计 单一感光器 感光器连接放大器 灵敏度 同样面积下高 感光开口小，灵敏度低 成本 线路品质影响程度高，成本高 CMOS整合集成，成本低 解析度 连接复杂度低，解析度高 低，新技术高 噪点比 单一放大，噪点低 百万放大，噪点高 功耗比 需外加电压，功耗高 直接放大，功耗低 由于构造上的基本差异，我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真（专属通道设计），透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理，可以保持资料的完整性；CMOS的制程较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个像素的资料。 整体来说，CCD 与 CMOS 两种设计的应用，反应在成像效果上，形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等，不同类型的差异： ISO 感光度差异：由于 CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路，过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积，因此 相同像素下，同样大小之感光器尺寸，CMOS的感光度会低于CCD。 成本差异：CMOS 应用半导体工业常用的 MOS制程，可以一次整合全部周边设施于单晶片中，节省加工晶片所需负担的成本 和良率的损失；相对地 CCD 采用电荷传递的方式输出资讯，必须另辟传输通道，如果通道中有一个像素故障（Fail），就会导致一整排的 讯号壅塞，无法传递，因此CCD的良率比CMOS低，加上另辟传输通道和外加 ADC 等周边，CCD的制造成本相对高于CMOS。 解析度差异：在第一点“感光度差异”中，由于 CMOS 每个像素的结构比 CCD 复杂，其感光开口不及CCD大， 相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时，CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。不过，如果跳脱尺寸限制，目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万 像素 / 全片幅的设计，CMOS 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。 噪点差异：由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个 ADC 放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的 ADC 放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的CCD，CMOS最终计算出的噪点就比较多。 耗电量差异：CMOS的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出；但CCD却为被动式， 必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特（V）以上的水平，因此 CCD 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使 CCD 的电量远高于CMOS。简单来说,CCD是将光信号转换为电信号输出,而COMS是将光信号转为电信号再转为数字信号输出.现在在DSLR上的实际应用看来,两者的成像性能没区别.ccd和cmos都是感光器件，和镜头无关。日常鉴别主要是拍摄全黑和全白照片，看是否有坏点亮点
7，CMOS器件的基本原理及结构
CMOS器件：就是CMOS传感器 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，中文学名为互补金属氧化物半导体，它本是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导最基本的资料。其原理是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带-电） 和 P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。 CMOS传感器也可细分为被动式像素传感器(Passive Pixel Sensor CMOS)与主动式像素传感器(Active Pixel Sensor CMOS)。 CMOS传感器按为像素结构分被动式与主动式两种。 被动式 ：又叫无源式。它由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。光敏二极管本质上是一个由P型半导体和N型半导体组成的PN结，它可等效为一个反向偏置的二极管和一个MOS电容并联。当开关管开启时，光敏二极管与垂直的列线（Column bus）连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路（Charge integrating amplifier）保持列线电压为一常数，当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时，其电压被复位到列线电压水平，与此同时，与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。 主动式： 主动式像素结构（Active Pixel Sensor.简称APS），又叫有源式，如图2所示. 几乎在CMOS PPS像素结构发明的同时，人们很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能，在CMOS APS中每一像素内都有自己的放大器。集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，降低了“封装密度”，使40%～50%的入射光被反射。这种传感器的另一个问题是，如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配，这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。由于CMOS APS像素内的每个放大器仅在此读出期间被激发，所以CMOS APS的功耗比CCD图像传感器的还小。三块太阳能电池。盖上红色滤色玻璃，绿色滤色玻璃，蓝色滤色玻璃。红色滤色玻璃的太阳能电池，根据红色光线的强弱，产生多或少的电量，把这些电量换算成数字，代表红色光线的强弱。绿色，蓝色同上。三种光线的强弱合起来，代表这个点所接收的颜色。超多的微型的太阳能电池组成众多的颜色信号，最终组成马赛克画面。ccd就是微型的 盖着有色玻璃的 太阳能电池 的 集合体。那些专业生造词看得头疼，用自己能理解的话翻译ccd原理。CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。 在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能。而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序，方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置。 CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件（常见的有TTL和CMOS），尤其是片幅规格较大的单反数码相机。虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的模-数转换器（ADC）将获得的影像讯号转变为数字信号输出。 CMOS与CCD的区别 CCD与CMOS传感器是被普遍采用的两种图像传感器，两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换，将图像转换为数字数据，而其主要差异是数字数据传送的方式不同。 CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出；而在CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。 造成这种差异的原因在于：CCD的特殊工艺可保证数据在传送时不会失真，因此各个象素的数据可汇聚至边缘再进行放大处理；而CMOS工艺的数据在传送距离较长时会产生噪声，因此，必须先放大，再整合各个象素的数据。 由于数据传送方式不同，因此CCD与CMOS传感器在效能与应用上也有诸多差异，这些差异包括： 1. 灵敏度差异： 由于CMOS传感器的每个象素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路)，使得每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积，因此在象素尺寸相同的情况下，CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。2. 成本差异： 由于CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片中，因此可以节省外围芯片的成本；除此之外，由于CCD采用电荷传递的方式传送数据，只要其中有一个象素不能运行，就会导致一整排的数据不能传送，因此控制CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难许多，即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破50%的水平，因此，CCD传感器的成本会高于CMOS传感器。3. 分辨率差异： CMOS传感器的每个象素都比CCD传感器复杂，其象素尺寸很难达到CCD传感器的水平，因此，当比较相同尺寸的CCD与CMOS传感器时，CCD传感器的分辨率通常会优于CMOS传感器的水平。例如，市面上CMOS传感器最高可达到210万象素的水平(OmniVision的 OV2610，2002年6月推出)，其尺寸为1/2英寸，象素尺寸为4.25μm，但Sony在2002年12月推出了ICX452，其尺寸与 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率却能高达513万象素，象素尺寸也只有2.78mm的水平。4. 噪声差异： 由于CMOS传感器的每个感光二极管都需搭配一个放大器，而放大器属于模拟电路，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD传感器相比，CMOS传感器的噪声就会增加很多，影响图像品质.5. 功耗差异： CMOS传感器的图像采集方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出，但CCD传感器为被动式采集，需外加电压让每个象素中的电荷移动，而此外加电压通常需要达到12~18V；因此，CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 power IC)，高驱动电压更使其功耗远高于CMOS传感器的水平。举例来说，OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下运行，功耗仅为40mW；而致力于低功耗CCD传感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等级的产品，其功耗却仍保持在90mW 以上。因此CCD发热量比CMOS大，不能长时间在阳光下工作。 综上所述，CCD传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都优于CMOS传感器，而CMOS传感器则具有低成本、低功耗、以及高整合度的特点。不过，随着CCD与CMOS传感器技术的进步，两者的差异有逐渐缩小的态势，例如，CCD传感器一直在功耗上作改进，以应用于移动通信市场(这方面的代表业者为Sanyo)；CMOS传感器则在改善分辨率与灵敏度方面的不足，以应用于更高端的图像产品。 发展前景 专家们认为，21世纪初全球CMOS图像传感器市场将在PC摄像机、移动通信市场、数码相机、摄像机市场市场等领域获得大幅度增长，在未来的几年时间内，在130 万像素至200万像素之下的产品中，将开始以CMOS传感器为主流。以小型化和低功耗CMOS图像传感器为核心的摄像机正在成为消费类产品的主流，上述领域将为图像传感器市场带来巨大发展。
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